製品情報
| 原産地: | ベルギー | 銘柄: | bcmセンサ | モデル番号: | scsg |
包装
| 包装: | OEMの内部箱およびカートン |
仕様
Bcm半導体ストレインゲージはpからなる- タイプシリコンウェハドープ。
半導体ひずみゲージ
ゲージ構成の説明と
ピエゾ抵抗効果に基づいて、 bcm半導体ストレインゲージはpからなる- タイプシリコンウェハドープ、 二つのタイプで、 製造されてい: バー- タイプとバッキング- タイプ。 ゲージはときに作られたバーで- タイプ、 彼らは裸ゲージ( sn- シリーズ)、 しながらで行われたバッキング- タイプ、 ゲージをてバックアップされているフェノール- 樹脂( sb- シリーズ)。
半導体は製造されていゲージは異なる三つの寸法(" 1"、" 2" と" 3") あり、 ゲージがリードで完成できます別のリード- 構成。 トップに示さ、 はいくつかのsb- シリーズ担保- ゲージの2型鉛- 構成。
ゲージタイプと物理的な寸法
ゲージp/n | ゲージタイプ | ゲージの長さ | クリスタル幅 | クリスタル厚さ | バッキング( lxw) |
Sb1##-- p- ※ | 担保- ゲージ | ミリメートル3.8 | ミリメートル0.3 | 0.05mm | ミリメートル×3mm5 |
Sb2##-- p- ※ | 担保- ゲージ | ミリメートル5 | ミリメートル0.4 | ミリメートル0.06 | ×5mm8 |
Sb3##-- p- ※ | 担保- ゲージ | ミリメートル6 | ミリメートル0.5 | ミリメートル0.06 | ミリメートル9×6mm |
Sn1##-- p- ※ | 裸- ゲージ | ミリメートル3.8 | ミリメートル0.3 | 0.05mm | 何バッキング |
Sn2##-- p- ※ | 裸- ゲージ | ミリメートル5 | ミリメートル0.4 | ミリメートル0.06 | 何バッキング |
Sn3##-- p- ※ | 裸- ゲージ | ミリメートル6 | ミリメートル0.5 | ミリメートル0.06 | 何バッキング |
"1"、" 2』 や『 3" ゲージ寸法を識別します、『 ##" ゲージの抵抗の略です、 ・『 ※" ゲージ用の鉛- 構成。
技術仕様
ゲージp/n | R* | Gf** | Tcr*** | Tcgf**** | 現在の作業 | tempを作業 | ひずみ制限( ・マイクロ、 e) |
Sb( sn) ＃- 15- p- ※ | 15 | +75/- 5％ | <0.08% | <0.12% | <25 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 25- p- ※ | 25 | +75/- 5％ | <0.08% | <0.12% | <25 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 30- p- ※ | 30 | +80/- 5％ | <0.08% | <0.12% | <25 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 60- p- ※ | 60 | +100/- 5％ | <0.08% | <0.12% | <25 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 120- p- ※ | 120 | +110/- 5％ | <0.15% | <0.15% | <25 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 200- p- ※ | 200 | +120/- 5％ | <0.15% | <0.15% | <20 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 350- p- ※ | 350 | +130/- 5％ | <0.35% | <0.28% | <15 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 600- p- ※ | 600 | +140/- 5％ | <0.4% | <0.3％ | <12 | <80 | 6000 |
Sb( sn) ＃- 1000- p- ※ | 1000 | +150/- 5％ | <0.4% | <0.3％ | <12 | <80 | 6000 |
#: ゲージ寸法の指標
※r=ゲージの抵抗でオーム@32・度; c。
Gf**=ゲージ因子( ひずみ感度) @32・度; c。
Tcr***抵抗の温度係数=@32・度; c。
****tcgfゲージの温度係数=@32因子・度; c。
ゲージを仕様や物理的な寸法は予告なく変更する場合があり。
