製品情報
| 銘柄: 三菱 | モデル番号: RD15HVF1 | タイプ: Field-Effectのトランジスター |
| パッケージのタイプ: 穿孔 |
仕様
RFはMOSFET (FET)のトランジスターふくれっ面> 15WのGp > 14dB @Vdd = 12.5V、f = 175MHzに動力を与える; ふくれっ面> 15WのGp > 7dB @Vdd = 12.5V、f = 520MHz
- 高周波装置
- Si RF力MOSFET (FET)のトランジスター
- 金属酸化物半導体のField-Effectのトランジスター、MOSFET
- RD15HVF1はとりわけVHF/UHFの高い発電ののために設計されているMOS FETのタイプトランジスターアンプの塗布である
- 特徴: [1]高い発電および高利得: ふくれっ面の@&@ 15WのGpの@&@ 14dBの@Vdd = 12.5V、f = 175MHz; ふくれっ面の@&@ 15WのGpの@&@ 7dBの@Vdd = 12.5V、f = 520MHz。 [2]高性能: 60%typ. VHFバンド。 [3]高性能: 55%typ. UHFバンド
- 適用: VHF/UHFバンドの高い発電のアンプの出力段階のため移動式無線送受信機
- 源の電圧(VDSS)への下水管: 30V (Vgs = 0V)
- 源の電圧(VGSS)へのゲート: ±20V (Vds = 0V)
- チャネルの消滅(Pch): 48W (Tc=25°C)
- 入力パワー(Pin): 1.5W (Zg = Zl = 50Ω)
- 下水管の流れ(ID): 4A
- ゼロゲートの電圧下水管の流れ((最高) IDSS): 100μA (VDS = 17V、VGS = 0V)
- 源の漏出流れ((最高) IGSS)へのゲート: 1μA (VGS = 10V、VDS = 0V)
- 出力電力(Pout1) (分): 15W (VDD = 12.5V、Pin = 0.6W、f = 175MHz、Idq = 0.5A)
- 下水管の効率(ηD1) (TYP。): 60% (VDD = 12.5V、Pin = 0.6W、f = 175MHz、Idq = 0.5A)
- 出力電力(Pout2) (分): 15W (VDD = 12.5V、Pin = 3W、f = 520MHz、Idq = 0.5A)
- 下水管の効率(ηD2) (TYP。): 55% (VDD = 12.5V、Pin = 3W、f = 520MHz、Idq = 0.5A)
- チャネルの温度(Tch): 150°C
- 保管温度(Tstg): -40°Cへの+150°C
- 銘柄: 三菱
- 無鉛タイプ
- 迎合的なRoHS
- 土台のタイプ: 穴を通して/浸しなさい(二重インラインパッケージ)
- パッケージの輪郭: TO-220S
- 鉛の計算: 3
- パッキング: 50単位/管
- HF/VHF/UHF/900MHz部品番号: RD00HHS1、RD00HVS1、RD01MUS1、RD01MUS2、RD02MUS1、RD02MUS1B、RD02MUS2、RD05MMP1、RD06HHF1、RD06HVF1、RD07MUS2B、RD07MVS1、RD07MVS1B、RD07MVS2、RD09MUP2、RD100HHF1、RD12MVP1、RD12MVS1、RD15HVF1、RD16HHF1、RD20HMF1、RD30HUF1、RD30HVF1、RD45HMF1、RD60HUF1、RD70HHF1、RD70HVF1.
- 他の多くの無線コミュニケーションプロダクトと互換性がある
- 多くの標準的な手元の商品の供給
- 私達はさまざまな電子部品を供給し、あなたの照会を歓迎する
