| 原産地: | 中国(本土) | 銘柄: | crt | モデル番号: | cgf734e |
包装
| 包装: | 標準的な輸出カートンの箱1箱あたりの25pcs。 |
説明
をcgd834eはgaasのハイブリッド集積回路使用されるように設計は出力としてcatvでデバイスアプリケーションまで870mhzの。 というそのgaasデバイス、 それは低歪み、 低雑音指数両端の損失と下部リターン、 全周波数バンド。として世代に前回の製品、 これらのデバイスそのような危険として生き残るサージやesd並びにそれらのシリコン競合他社、 が、 優れた性能を提供し低dcでの必要な電流。
電気的特性(bandwidth870mh40からz;tケース=25・#8451;vdd=24v、 zs=zl=75・オメガ;)
部品番号 | cgd834e | |||||
シンボル | パラメータ | ユニット | 分 | typ | 最大 | 条件 |
bw | 周波数範囲 | mhz | 40 | - | 870 |
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ga | ゲイン | デシベル | 33.50 | 34 | 35.5 | F=870mhz |
s | スロープゲイン | デシベル | 0.5 | - | 1.5 | F=40に870mhz |
gf | 利得平坦性 | デシベル | - | ± 0.5 | - | F=40に870mhz |
s11 | 入力リターンロス | デシベル
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| 201816 | --- | F=40から550mhz F=550〜750mhz F=750から870mhz |
s22 | 出力リターンロス | デシベル |
| 201816 | --- | F=40から550mhz F=550〜750mhz F=750から870mhz |
ctb | トリプル複合ビート | dbc | - - | -63 -59 | - - | フラット79チャンネル; vo=48dbmv/ch(1) フラット112チャンネル; vo=48dbmv/ch(2) |
cso | コンポジットの二階 | dbc | - - | -66 -63 | - - | フラット79チャンネル; vo=48dbmv/ch(1) フラット112チャンネル; vo=48dbmv/ch(2) |
xmod | クロス変調 | dbc | - - | -60 -58 | - - | フラット79チャンネル; vo=48dbmv/ch(1) フラット112チャンネル; vo=48dbmv/ch(2) |
itot | 総消費電流 | ミリアンペア | 435 | 450 | 465 | Dc値; vB=+24v |
nf | 雑音指数 | デシベル | - | 4.0 | 4.5 | F=870mhz |
tオペアンプ | 動作温度 | oc | -20 | - | 110 |
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tstg | 保管温度 | oc | -30 | - | 110 |
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ノート:
(1) 79チャンネル、 ntsc周波数ラスター: mhzから55.25547.25mhzの、 フラット+48dbmv出力レベル。
(2) 112チャンネル、 ntsc周波数ラスター: mhzから55.25745.25mhzの、 フラット+48dbmv出力レベル。
