• 12N高品質NTDのモノクリスタルケイ素のインゴット
    商品番号: 3211829
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    商品の詳細

    製品情報

    重量: 顧客のrequir 次元: 2 " ~4 " 合金またはない: Non-alloy
    二次またはない: 非二次 抵抗(μΩ.m): 30~200オームcm 伝導率類: N
    原産地: 中国(本土) 銘柄: Xinhua モデル番号: FZ-14
    直径: 2 " ~4 " 長さ: 顧客のrequir 重量: 顧客のrequir
    抵抗(オームcm): 10 ~ 200 生産性: 500t/ 年 純度: 12N

    包装

    包装: 標準的な木の場合

    仕様

    1: 高い純度: 12N (99.9999999999%) 2: 浮遊物の地帯の技術。N<111> 3: 直径: 2 " - 4 " 4: 単一水晶のケイ素の5:30 ~200のオームcm

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    ng>応用分野:
    ng>フロート- ゾーンsilicon'sは伝統的な使用法におけるパワーエレクトロニクス、 パワーエレクトロニクスのために作られている部品e。 g。 scrmosfetigbtなど。 そして今日ではfusioning- ゾーンで使用されてきた技術はまた、 緑のエネルギー資源エリア。 光電気変換効率に到達し20%、 効率をしながらなり12%から引っ張ってくることで、 より単結晶シリコン。

    ng>Fz原則を形成:ng>

    成長をすることから始まりを挿入するproessの多結晶インゴットの上部チャンバーに/arrangment引っ張る。 その後インゴットはプレ- によって加熱されるヒーターにグラファイト。 後プレ- 加熱、 グラファイトを振ったヒーターは離れるとコーン- 形のインゴットは中に低下アクティブゾーンの高周波コイル。 を溶融することができる物は、 種子に結晶シリコンインゴット。 もの- パスすることができ今始め単結晶成長過程。


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