• precio más bajo! 4 GB de DDR3 RAM 1333MHZ escritorio
    商品番号: 204902
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    商品の詳細

    包装

    包装: paquete al por menor y el paquete a granel

    仕様

    1.precio de fábrica de toda la competencia 2.3 años de garantía 3.mejor afterservice 4.viruta original

     Detalle rápido

    estado del productocapitalaplicaciónescritorio
    capacidad4GBfrecuencia1333mhz
    funciónno ECCTIPODDR3
    marca de chipsOEM y ODMcertificación de chipsROHS y CE
    velocidad de la memoria1333Mhz DDR3canal de memoriadual

     

     

    Especificación General

    1. 4GB DDR3 1333MHZ escritorio ram

    2.a original del 100%, la mejor compatibilidad

    3. 3 años de garantía

    4. la entrega dentro de 3 días después del pago

    5. 100% compatible con toda la placa madre

    6. nuestra empresa está especializada en la venta de la memoria ram

     

    Pacage y entrega

    1. detalle pacage: paquete al por menor y el paquete a granel

    2. detalle de la entrega: 1-3 días después del pago

     

     

    Información detallada sobre nuestro producto

    1) DDR 400/333 y DDRII 533/667/800 MHz y DDR3/1066/1333/1600.
    2) 168/184/240-pin tipo de socket dual en el módulo de memoria en línea (DIMM).
    3) Fuente de alimentación de 1,5 V
    4) Velocidad de datos: 400/333/533/667/800M1066/1333MHZ/1600mhz (max).
    5) 2,5 V (SSTL-2 compatible) I / O para los productos DDR I, II para pro suministro 1.8Vpower DDR, 1.5V para los productos DDRIII
    6), la arquitectura de tasa doble de datos, dos transferencias de datos por ciclo de reloj.
    7) Bi-direccional de datos estroboscópica diferencial (DQS) se transmite / recibe los datos, para ser
    utilizado en la captura de datos en el receptor
    8) entradas y salidas de datos se synchronzed con DQS.
    9) DQS es borde alineado con los datos para la lectura, el centro alineado con los datos para escriben.
    10) entradas de reloj diferenciales (CK y CK).
    11) DLL alinea transiciones de DQ y de DQS con transiciones de las CK
    12) Los comandos introducidos en cada borde positivo de las CK: datos y máscara de los datos referida a ambos bordes de DQS.
    13) Cuatro bancos internos para la operación concurrente (componente).
    14) Máscara de datos (DM) para los datos de escritura.
    15) La opción Auto precarga para cada uno estalló el acceso
    16) programable de longitud de la ráfaga: 2, 4, 8
    17) Programable / Latencia CAS (CL): 9
    18) programable fuerza controlador de salida: normal / débil
    19) Actualizar los ciclos: (8192 refresco cycles/64ms).
    20) 7.8US intervalo máximo promedio de actualización periódica.
    21) Publicado por la latencia CAS aditivo programable para mejor manejo y la eficiencia del bus de datos
    22) Ajuste de impedancia fuera del chip controlador y en el chip de terminación para una mejor calidad de señal.
    23) DQS puede ser lisiado para la operación de una sola terminal estroboscópica datos
    24) 2 variaciones de actualización
    25) Actualización automática
    26) Auto-refresh.

     

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