製品情報

原産地: 中国(本土)	銘柄: TEM	モデル番号: HQ-94
タイプ: 電熱製陶術	材料: アルミニウム窒化物	熱伝導性: 170W/m.kより多く
flexural強さ: 320MPaより多く	誘電性損失: 3.8*10-4MHz

包装

包装: カートンおよび箱

仕様

1)金属で処理されたAlNの陶磁器の基質2の)高い熱伝導性は、よい絶縁材3)私達が交換の工場のdepartmen

 

 

 

プロパティのインデックスの窒化アルミニウム基板

 

コンテンツプロパティ	プロパティのインデックス
熱伝導率( w/m& middot; k)	・ge; 170
体積抵抗率(& オメガ;& middot; cm)	>1013
誘電率1mhzの、 25・度; c	9
誘電損失1mhzの、 25・度; c	3.8*10-4
絶縁耐力( kv/mm)	17
Density(g/cm3)	・ge; 3.30
表面粗さra( ・マイクロ; m)	0.3~0.5
熱膨張率20・度; ℃〜300・度; c( 10-6/・度; c)	4.6
曲げ強度( mpa)	320~330
弾性率が( gpa)	310~320
Moh・rsquo; sの硬度	8
吸水性( %)	0
キャンバー( 〜/25(length))	0.03~0.05
融点( 専修度; c)	2500
外観/color	ダークグレー

 

をme-talation窒化アルミニウムセラミック基板である高い熱伝導率を有する以上の

170w/m。 k、 高密度、 低誘電損失、 いくつかの良い断熱材やその他の優れた特性。

alnディスクが最良の選択の広い範囲のための産業断熱の高い素材ヒートシンク

電力機械機器などの機器と高周波基板、 ハイパワー

トランジスタモジュール基板、 高密度ハイブリッド回路、 マイクロ波電力デバイス、 パワー

半導体デバイス、 パワーエレクトロニクスデバイス、 光電子部品、 半導体レーザー、

led、 ic製品、 などに。

 

表面粗さ以内に到達することができ0.1・マイクロ; 研磨された後、 m。 寸法公差制御することができる

前後で& plusmn; レーザ加工機による0.1mm。

 

異次元と厚さが用意されていを介してレーザー切断やをカスタマイズする。