| 原産地: | 中国(本土) | 銘柄: | dx | モデル番号: | Dxnlc015-0024 | タイプ: | 絶縁の製陶術 | 材料: | アルミニウム窒化物 | 色: | グレー | 形状: | サークル、 正方形の、 他の形状 | サイズ: | カスタマイズされた | 証明書: | ce、 ロッシュ | 熱伝導率: | >170ワット/メートル。 k | 体積抵抗率: | 1013 | 誘電率: | >9 | 誘電損失: | 3.8*10- 4 | 絶縁耐力: | 17kv/mm | 密度: | 3.3g/cm3 |
包装
| 包装: | 木製のケースに |
正直高い安定性ＡＬＮ基板
熱伝導率は260ＡＬＮ基板w/( m。 k)、 5- 8倍化アルミナセラミックと2200負担することができ・#8451;.
加えて、 ＡＬＮ基板は影響を受けていないアルミニウムによって液体やその他の溶融金属と浸食ガリウム砒素、 特にアルミ溶湯に液体に優れた耐性を有し浸食。
セラミック利点ＡＬＮ基板:
1,ＡＬＮ基板セラミック基板、 熱伝導率の高い、 低膨張率、 高強度、 高耐熱性、 耐食性、 高抵抗率、 誘電損失が小さい、 は理想的な大規模集積回路冷却基材、 包装材料。
2,ＡＬＮ基板は、 高い硬度と従来のと比べてより多くのアルミナ、 は、 新しいタイプの、 耐摩耗性、 耐セラミック材料、 重度に使用することができ磨耗した部品。
3,ＡＬＮ基板を使用して熱融耐エロージョン性と耐熱衝撃性、 gaas結晶を生成することができるつぼ、 アル蒸発皿、 ＡＬＮ基板薄膜にすることができる高周波圧電素子、 そのような非常に大規模集積回路基板。
4,ＡＬＮ基板耐熱、 溶融金属の浸食に耐性、 酸に対して安定、 アルカリ性溶液中で浸食されやすいが、。 ain新生児させるために露出した表面反応生成し湿った空気が非常に薄い酸化膜。
この機能を使用する、 アルミに使用することができ、 銅、 銀、 鉛などの金属製錬の坩堝と火傷の鋳型材。 メタライゼーション性能は良いＡＬＮ基板、 毒性を交換することができ感受性セラミック酸化と広く使用することができ、 エレクトロニクス業界で。
アプリケーション:
1.rf/マイクロ波コンポーネント
2.パワーモジュラス
3.電力用変圧器
4.高電源ledのパッケージ
5.レーザダイオードサブ- マウント
6.ledチップサブ- マウント
7.マイクロエレクトロニクスのパッケージ
8.トランジスタ
基板材料 | 熱伝導率 | 誘電率 | 損失角 | 熱膨張係数が (ppm/w・雄牛; k) |
99.6%アルミナセラミック | 27 | +9.9/- 0.15@1mhzの | 0.0001 | -7.56.5 |
(aln) | >170 | +8.85/- 0.35@1mhzの | 0.001 | 4.6 |
クォーツ | 1.38 | 3.82@1mhzの | 0.000015@1mhzの 0.00033@24ghzの | 0.55 |
他の個別にカスタマイズしたaln基板することができるお客様のニーズに合わせた。 | ||||
コンテンツプロパティ | プロパティのインデックス | |||
熱伝導率( w/m& middot; k) | ・ge; 170 | |||
体積抵抗率(& オメガ;& middot; cm) | >1013 | |||
誘電率1mhzの、 25・度; c | >9 | |||
誘電損失1mhzの、 25・度; c | 3.8*10-4 | |||
絶縁耐力( kv/mm) | 17 | |||
Density(g/cm3) | ・ge; 3.30 | |||
表面粗さra( ・マイクロ; m) | 0.3~0.5 | |||
熱膨張率20・度; ℃〜300・度; c( 10-6/・度; c) | 4.6 | |||
曲げ強度( mpa) | 320~330 | |||
弾性率が( gpa) | 310~320 | |||
Moh・rsquo; sの硬度 | 8 | |||
吸水性( %) | 0 | |||
キャンバー( 〜/25(length)) | 0.03~0.05 | |||
融点( 専修度; c) | 2500 | |||
外観/color | ダークグレー | |||
