| 原産地: | 中国(本土) | 銘柄: | dx | モデル番号: | Dxbt015-0018 | タイプ: | 誘電性の製陶術 | 材料: | beoセラミック | 色: | グレーホワイト | 形状: | 正方形の、 サークル、 等 | 係数の熱伝導率: | 200-286w/m。 k | 密度: | 2.92g/cm3 | 純度: | 99％ | 弾性率: | 300km/mm2 | 曲げ強度: | 170-230n/mm2 | モース硬度: | 8月9日 | 線膨張係数で: | <9 | 抵抗率: | 4x1015 |
包装
| 包装: | 木製のケースにまたはカートン |
工場出荷時の価格酸化ベリリウム基板
は、 溶融温度範囲の酸化ベリリウム基板2530c~2570c、 密度は、 理論上の3.02g/cm3、 真空中で酸化ベリリウム基板に使用することができで長い時間を180℃、 で、 不活性ガス酸化ベリリウム基板2000cで使用することができ、 で酸化性雰囲気で使用することができ揮発180℃とその後。
最も顕著な特性である酸化ベリリウムは、 基板の熱伝導率の大きい係数に類似しているアルミの金属であり、 それはアルミナセラミックス6から10倍。
酸化ベリリウム基板は誘電体材料を持っているユニークな電気的、 熱的および機械的特性。 他の材料には無いのこのような統合されたパフォーマンス展示。
酸化ベリリウム基板は、 多くの特性、 そのような高熱伝導率、 溶融性高、 強度、 高断熱、 低誘電率、 低誘電損失特性プロセス適応性と優れたパッケージング。
電子レンジで技術、 電気真空技術、 原子力技術、 マイクロエレクトロニクスと光電子技術分野が注目されている酸化ベリリウム基板注意と適用する、 特に高電力で半導体デバイス、 高- パワー集積回路、 ハイパワーマイクロ波真空装置と原子炉内;
形成方法:
酸化ベリリウム基板は、 5形成方法: 乾燥した圧力センサ、 ホットプレス、 インジェクション、 押出および冷間静水圧プレス。
ドライプレス成形で使用することができ、 ウェーハ製造薄板や( d> =1mm) と円筒berylliaセラミックス・rsquo; 製品( 高さ/diameter< =1.5mm);
ホットプレスを形成するのに適した方法は複雑な形状の酸化ベリリウム基板生産とホットプレスを製造するために使用は特に酸化ベリリウムロッドクランプ。
酸化ベリリウム基板パフォーマンスデータ
パフォーマンス指標 | ユニット | >95％beoプレート | >99％beoプレート | |
誘電率 | 1mhzの | 6.8 | 7.2 | |
3.52.4ghzの液晶 | 6.90 | 6.93 | ||
絶縁耐力 | Kv/mm | 45( thickness3.17mm) | 50( thickness1.5mm) | |
熱伝導率 | W/( m。 k)
| 25c | 264 | 286 |
100c | 200 | 215 | ||
線膨張係数で | 1x10- 6/c | 25-500c | 7.6 | 7.6 |
500-1000c | 9.0 | 9.0 | ||
曲げ強度 | mpa | 170 | 230 | |
密度 | G/cm3 | 2.85 | 2.92 | |
抵抗率 | ・オメガ;。 cm | 4x1015 | 4x1015 | |
日焼け・デルタ;/104 | 1mhzの | 1.4 | 1.4 | |
3.52.4ghzの液晶 | 3.6 | 3.6 | ||
は、 他と比較したセラミックス
材料 | ダイヤモンド | sic | beo | aln | bn | al2o3 | |
高純度シングルスクリスタル | 結晶材料 | d | z | w | w | w | コランダム |
Debye温度( 専修#8451;) | 220 | 1080 | 1280 | 950 | — | 970 | |
体積抵抗(& オメガ;。 cm) 25・#8451; | >10 | >10 | — | 10 | 10 | — | |
・ラムダ; w/( m。 k) | 2400 | 490 | 370 | 280~300 | — | 35 | |
・イプシロン; 25・#8451; | 5.7 | — | — | — | — | — | |
密度(& オメガ; ナン) 25・#8451; | 10 | >10 | 10 | 2 | 10 | — | |
セラミック | ・ラムダ; w/( m。 k) | 2000 | 200~270 | 200~286 | 120~160 | 4.2 | 30 |
・イプシロン; 25・#8451; | 10.3 (0.5mhz) | 40 (1mhz) の | 6.5 (0.1mhz) | 5~10 (8.5mhz) | 4.2 (1mhz) の | 6.5 (0.1ghz) | |
タンジェント・デルタ; | 1.5 (1mhz) の | 0.05 (1mhz) の | 1 (0.1ghz) | 1 (１０ＧＨＺ) | 1 (１０ＧＨＺ) | 1 (1ghzの) | |
純度( %) | — | >92 | 99 | 99 | >95 | 99.5 | |
密度( g/cm3) | 3.3 | 3.2 | 2.9 | 3.3 | — | 3.9 | |
弾性率( 95km/mm2) | — | 380 | 300~355 | 300~310 | — | 300~380 | |
曲げ強度( n/mm2) | — | 500 | 170~230 | 280~350 | — | 250 | |
モース硬度 | — | 9 | 8~9 | 8 | — | 9 | |
リニアexpansiocoefficient(/・#8451;) | — | 3.7 | 8 | 4.5 | — | 7.3 | |
