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    高純度セラミック基板アルミナプレート基板電子のための目的-導電性セラミックス
    商品番号: 10427269
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    商品の詳細

    原産地: 中国(本土) 銘柄: xingtaiの長い モデル番号: Xtl-as26
    タイプ: 誘電性の製陶術 材料: アルミナ 最大サイズ: 最大。 カスタマイズされた300300mmであり、。 分。 厚さ0.25ミリメートル
    メタライゼーション: 金付きコートでし、 銀、 銅、 ni等。 形状: ラウンド、 正方形の、 長方形など。 熱伝導率: >180w/m。 k
    材料: アルミナ、 セラミックアルミナ30-99%含有量 原産地:: 湖南省中国( 本土) ブランド名: xingtaiの長い
    アプリケーション: のための機械的または回路基板として目的

    包装

    包装: カートンのパッキングによって/木製ケース/詰めることができ顧客の要求として!

    基板アルミナセラミックプレート基板電子のための目的 

     

    製品の説明

     

     

    1.このプレートのための、 主にアルミナ含有量は96%99%と。

    2.の特徴を有して高い信頼性、 高電力密度。

    3.熱伝導率の高い、 高い絶縁性とサイクル性能。

    4.形成することができる寸法やレーザー切断する金型スタンピング、

    5.それがで使用され厚膜回路、 大- 規模集積回路、 ハイブリッドic、 半導体パッケージ、 チップ抵抗器やその他の電子産業分野。

     

    コンテンツプロパティ

    プロパティのインデックス

    Density(g/cm3)

    ・ge; g3.30/cm3

    吸水性( %)

    0

    熱伝導率( 20・度; c、 w/m。 k)

    ・ge; 170

    線膨張係数( rt- 400・度; c、 10- 6/・度; c)

    4.4

    曲げ強度( mpa)

    ・ge; 330

    バルク抵抗(& オメガ;。 cm)

    ・ge; 1014

    誘電率( 1mhz) の

    9.0

    誘電正接( 1mhz) の

    3・回; 10-4

    絶縁耐力( kv/mm)

    ・ge; 15

    表面粗さra(& ムー; m)

    0.3~0.5( ・ル; 20nm)

    キャンバー( 〜/25.4(length))

    0.03~0.05

    外観

    緻密な

      

    サンプルpix。 refのための。

     

     

    その皿はで主に使用高- 密度ハイブリッド回路、 マイクロ波電力デバイス、 パワー半導体デバイス、 パワーエレクトロニクスデバイス、 光電子部品、 半導体の冷凍のための基材などの商品高- パフォーマンス材料及び包装材料。

     

    特性: 熱伝導率の高い、 良好な電気的特性、 熱膨張係数とsi- チップアプローチ、 非- 毒性、 を交換することを意図されbeo理想的なセラミックの材料。 高純度セラミック基板アルミナプレート基板電子のための目的仕入れ・メーカー・工場 高純度セラミック基板アルミナプレート基板電子のための目的仕入れ・メーカー・工場 高純度セラミック基板アルミナプレート基板電子のための目的仕入れ・メーカー・工場 高純度セラミック基板アルミナプレート基板電子のための目的仕入れ・メーカー・工場 高純度セラミック基板アルミナプレート基板電子のための目的仕入れ・メーカー・工場 高純度セラミック基板アルミナプレート基板電子のための目的

     

     

     

    faq

    に従ってくださいを使用して仕様を展開するには、 より良い労働寿命と

     

    アルミナ基板の熱伝導率。

     

    一枚の命令の紙の袋で見つけられるでしょうアルミナ基板、 場合はマニュアル本

     

    必要な、、 事前に予告してください。

     

    もしあれば質問でもお気軽に私たちはいつでも知らせる。

     

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