製品情報
原産地: 中国(本土) | タイプ: 圧電気の製陶術 |
包装
包装: Carton |
仕様
The ultrasonic cell disruptor is made up of two ultrasonic generator and transducer used for ultrasonic smashing machine
The principle of energy-gathering ultrasonic transducer is same as the welding transducer. It is through exerting pre-stress to offset the swelling stress of piezoelectric ceramics and generate high frequency vibration with large amplitude. While it gathers energy and launch out in the smaller end of transducer, thus the partial acoustic-power rate is very big. So it requires high quality material and fine technique. It belongs to the high-power ultrasonic transducer. The transducer together with the booster and smaller diameter horn formed a vibrating system of partial high power and great oscillation amplitude, so as to realize ultrasonic smashing, extraction, emulsification, me-tal processing, etc.
Energy gathering ultrasonic transducer works in gaps or says work by pulse, it belong to high-power transducer. Generally its amount of power is calculated by the instantaneous peak power.エネルギー収集超音波トランスデューサの原理は、溶接トランスデューサと同じである。これは、圧電セラミックスの膨張応力を相殺し、大きな振幅で高周波数の振動を生成するためにプリストレスを加えることによるものである。それはエネルギーと振動子の小さい方の端で行わ起動を収集しながら、このように部分的な音響パワー率が非常に大きいです。だから、高品質の素材と細かいテクニックを必要とします。それは、ハイパワー超音波トランスデューサに属する。ブースタ及び小径ホーンと一緒に超音波トランスデューサは、こわ、抽出、乳化、金属処理などを実現するために、部分的な高電力と大きな振動振幅の振動系を形成
超音波振動子を集めるエネルギーギャップで動作またはパルスで作業を言う、それは、高電力変換器に属します。一般に、電力の量は、瞬時ピーク電力によって算出される。
Type | Frequency(KHz) | Capacitance(pF) | Impedance(Ω) | Power(W) | Insulation impedance(2500VDC) | Notes |
HNT-8AE-2520(5X4) | 20.0±0.5 | 2700±10% | ≤30Ω | 100 | 100MΩ | |
HNT-4AE-2520(5X4) | 20.0±0.5 | 3650±10% | ≤25Ω | 200 | 100MΩ | |
HNT-8SS-3030(5X4) | 30.0±0.5 | 7500±10% | ≤20Ω | 300 | 100MΩ | |
HNT-4AE-3535(5X2) | 35.0±0.5 | 4500±10% | ≤25Ω | 200 | 100MΩ | |
HNT-4AE-3040(5X2) | 40.0±0.5 | 4000±10% | ≤25Ω | 200 | 100MΩ | |
HNT-4SE-3050(5X2) | 50.0±0.5 | 4500±10% | ≤25Ω | 200 | 100MΩ | |
HNT-8AE-4020(5X4) | 20.0±0.5 | 9500±10% | ≤25Ω | 350 | 100MΩ | |
HNT-8AE-4020(5X6) | 20.0±0.5 | 13800±10% | ≤18Ω | 500 | 100MΩ | |
HNT-8AE-4520(5X4) | 20.0±0.5 | 12000±10% | ≤22Ω | 600 | 100MΩ | |
HNT-8AE-4520(5X6) | 20.0±0.5 | 18000±10% | ≤18Ω | 800 | 100MΩ | |
HNT-8SS-5020(6.5X4) | 20.0±0.5 | 9600±10% | ≤15Ω | 1000 | 100MΩ | |
HNT-8AS-5020(7X4) | 20.0±0.4 | 9000±10% | ≤15Ω | 1000 | 100MΩ |