周波数範囲

1~40mhz

温度安定性

、:& plusmn; 1.0ppm( 0~+50・度; c)
B:& plusmn; 1.5ppm( 0~+70・度; c)
C:& plusmn; 1.5ppm(- 20~+70・度; c)
D:& plusmn; 2.5ppm(- 30~+75・度; c)
E:& plusmn; 3.0ppm(- 40~+85・度; c)

周波数公差

± 1.0ppm( 最大)

老化

± ppm1.0/year最大

波と出力負荷特性

table2を参照してください

周波数と負荷許容値

± 0.1ppm( 最大)。 vs& plusmn; 10％負荷変動

電源電圧

+3.3vdc、 5.0vdc

周波数と電圧許容範囲

± maxは0.2ppm。 vs& plusmn; 5％電圧変化

位相雑音

10hzの、- 70dbc/hz
100hz、- 100dbc/hz
1khzの、- 130dbc/hz
10khz、- 140dbc/hz
100khzの、- 145dbc/hz

電力を供給する

table2を参照してください

保管温度

-40~+100・度; c

出力
波形

出力
タイプコード

周波数範囲

発振状態

出力特性

クリッピング
正弦波

0

8mhz~40mhz

F: 根本的な

負荷: 10k・オメガ;/10pfの
出力レベル:> 1vp- p
電流: 最大。 10ma

ttl

1

1mhz~40mhz

F: 根本的な

負荷: 最大: 10低消費電力
ttlゲート
"1" レベル:> +2.4vdc;" 0" レベル:< +0.2vdc
デューティサイクル: 40/60
上昇/立ち下がり時間:< 6ns
電流: 最大。 20ma

hcmos

2

1mhz~40mhz

F: 根本的な

負荷: 最大: 10低消費電力
Ttl/hcmos
"1" レベル:> +4.5vdc;" 0" レベル:< +0.5vdc
デューティサイクル: 40/60
上昇/立ち下がり時間:< 6ns
電流: 最大。 20ma

acmos

3

1mhz~40mhz

F: 根本的な

負荷: 最大: 10低消費電力
Ttl/acmos
"1" レベル:> +4.5vdc;" 0" レベル:< +0.5vdc
デューティサイクル: 40/60
上昇/立ち下がり時間:< 6ns
電流: 最大。 20ma

正弦波

4

8mhz~40mhz

F: 根本的な

負荷: 公称50・オメガ;
出力レベル:> 2db
高調波対策:>- 25デシベル
ノイズ抑制>- 75デシベル