製品情報
銘柄: 三菱 | モデル番号: RA33H1516M1 | タイプ: 手持ち型 |
次元: 46 x 14.4 x 6.3 mm | 周波数範囲: 154-162MHz | パッケージのタイプ: 穴中 |
パッケージの輪郭: H57 |
包装
包装: 輸出のための標準的な包装 |
仕様
三菱RF電力増幅器モジュールの周波数範囲: 出力電力154-162MHz: 33Wモジュールのサイズ: 46 x 14.4 x 6.3 mm
ケイ素RF力の半導体
高周波装置
Si RFの電力増幅器モジュール
高出力力Si MOS FETモジュール
1.記述
RA33H1516M1は- 162MHz範囲へ… 154で作動する12.5volt移動式ラジオのための33watt RF MOSFETのアンプモジュールである
電池は強化モードMOSFETのトランジスターの下水管に直接接続することができる。 ゲートの電圧として出力電力および下水管の現在の増加は増加する。 大幅に3.0Vの(最低)、出力電力および下水管の現在の増加のまわりのゲートの電圧を使って。 わずかな出力電力は4V (典型的な)および5V (最高)で利用できるようになる。 でVGG = 5Vは、典型的なゲートの流れ1mA.である
このモジュールは非線形FM調節2.特徴のために
設計されている
1 | 強化モードMOSFETのトランジスター(IDDの≅ 0 @ VDD = 12.5V、VGG = 0V) |
2 | ふくれっ面> 33WのηT > 50% @ VDD = 12.5V、VGG = 5V、Pin = 10mW |
3 | 広帯域周波数範囲: 154-162MHz |
4 | IGG = 1mA (typ)で現在のローパワー制御VGG = 5V |
5 | モジュールのサイズ: 46 x 14.4 x 6.3 mm |
3.のブロックダイヤグラム