原産地: | 中国(本土) | 銘柄: | xingtaiの長い | モデル番号: | Xtl-as13 | タイプ: | 誘電性の製陶術 | 材料: | アルミナ | 最大サイズ: | 114x114x2mm可能 | メタライゼーション: | ni付コート、 呉、 mn等。 | 形状: | ラウンド、 正方形の、 長方形など。 | 熱伝導率: | >180w/m。 k |
包装
包装: | カートンのパッキングによって/木製ケース/詰めることができ顧客の要求として |
銅、 銀、 ゴールドコーティングされたセラミックアルミナウェハ
製品の説明このプレートのための、 主にアルミナ含有量は96%99%と。 それの機能を持って高い信頼性、 高電力密度、 熱伝導率の高い、 高い絶縁性とサイクル性能。 形成することができる寸法やレーザー切断する金型スタンピング、 は厚膜回路で使用される、 大- 規模集積回路、 ハイブリッドic、 半導体パッケージ、 チップ抵抗器やその他の電子産業分野。
コンテンツプロパティ | プロパティのインデックス |
Density(g/cm3) | ・ge; g3.30/cm3 |
吸水性( %) | 0 |
熱伝導率( 20・度; c、 w/m。 k) | ・ge; 170 |
線膨張係数( rt- 400・度; c、 10- 6/・度; c) | 4.4 |
曲げ強度( mpa) | ・ge; 330 |
バルク抵抗(& オメガ;。 cm) | ・ge; 1014 |
誘電率( 1mhz) の | 9.0 |
誘電正接( 1mhz) の | 3・回; 10-4 |
絶縁耐力( kv/mm) | ・ge; 15 |
表面粗さra(& ムー; m) | 0.3~0.5( ・ル; 20nm) |
キャンバー( 〜/25.4(length)) | 0.03~0.05 |
外観 | 緻密な |
その皿はで主に使用高- 密度ハイブリッド回路、 マイクロ波電力デバイス、 パワー半導体デバイス、 パワーエレクトロニクスデバイス、 光電子部品、 半導体の冷凍のための基材などの商品高- パフォーマンス材料及び包装材料。 特性: 熱伝導率の高い、 良好な電気的特性、 熱膨張係数とsi- チップアプローチ、 非- 毒性、 を交換することを意図されbeo理想的なセラミックの材料。
サンプルpix。 refのための。